上海秦邦电子科技有限公司
MCD310-18io1IXYS可控硅出售
  • MCD310-18io1IXYS可控硅出售
  • MCD310-18io1IXYS可控硅出售
  • MCD310-18io1IXYS可控硅出售

产品描述

产地德国 名称可控硅模块 封装国际封装 批号new 系列MCC MCD TT
供应英国西码WESTCODE平板可控硅,晶闸管元件
●N系列相控可控硅(Phase Control Thyristors)
●R系列快速可控硅(Distributed Gate Thyristors)
●SM系列快速二极管(Fast Recovery Diodes)
●SW系列普通二极管(Rectifier Diodes)
N170CH12-16 N195CH12-16 N275CH02-08 N282CH20-25 N281CH12-18
N280CH12-16 N283CH12-14 N310CH02-06 N255CH36-45 N257CH26-42
N260CH30-36 N330CH20-26 N350CH12-18 N370CH12-18 N520CH12-16
N320CH40-45 N360CH30-38 N390CH30-32 N450CH20-26 N490CH20-26
N510CH16-20 N540CH12-18 N600CH12-16 N610CH06-10 N500CH30-42
N570CH30-36 N680CH20-26 N740CH12-16 N560CH40-45 N630CH30-36
N640CH24-30 N760CH18-22 N990CH12-16 N750CH40-45 N850CH30-36
N880CH24-30 N900CH20-26 N1400CH02-20 N1600CH08-12 N1463CH36-42
N1663CH30-35 N1863CH20-28 N1483CH36-42 N1683CH29-35
MCD310-18io1IXYS可控硅出售
特性曲线
与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。
对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
MCD310-18io1IXYS可控硅出售
二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
正向特性
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
MCD310-18io1IXYS可控硅出售
正向性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
-/gbaibbi/-

http://www.hngslt.com

产品推荐