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大庆微型二极管 SDD60N08
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产品描述

vishay 批号new 封装国际封装 系列VSKC 型号VSKC250-12
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
标准二极管模块
特点:
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688
应用:
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
PSKD44/14
PSKD44/16
PSKD44/18
PSKD56/08
PSKD56/12
PSKD56/14
PSKD56/16
PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
PSKD72/16
PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
PSKD95/16
PSKD95/18
PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
PSKD142/16
PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
PSKD172/14
PSKD172/16
PSKD172/18
PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
PSKD250/12
PSKD250/14
PSKD250/16
PSKD250/18
PSKD255/14
PSKD255/16
PSKD255/18
PSKD310/08
PSKD310/12
PSKD310/14
PSKD310/16
PSKD310/18
PSKD312/12
PSKD312/14
PSKD312/16
PSKD312/18
PSKD312/20
PSKD312/22
PSTKD82/06*
PSTKD82/08*
PSTKD82/10*
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PSTKD82/14*
PSTKD82/16*
PSTKD82/18*
PSND75E/02
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PSND75E/12
PSND100E/02
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PSND100E/12
PSND150E/02
PSND150E/04
PSND150E/06
PSND150E/08
PSND150E/10
PSND150E/12
PSND200E/02
PSND200E/04
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PSMD75E/02
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PSMD100E/02
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PSMD100E/06
PSMD100E/08
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PSMD100E/12
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PSMD150E/04
PSMD150E/06
PSMD150E/08
PSMD150E/10
PSMD150E/12
PSMD200E/02
PSMD200E/04
PSMD200E/06
PSMD200E/08
PSMD200E/10
PSMD200E/12
大庆微型二极管
semikroninternationalgmbh由fritzmartin博士创建于1951年,是一家国际的半导体器件制造商。赛米控公司总部位于德国纽伦堡,全球拥有超过3000名员工,是财政独立的家族式企业。
赛米控在全球共有37家子公司,在德国、巴西、中国、法国、印度、意大利、韩国、斯洛伐克、南非和美国分别设有生产基地,全球共有8个方案解决中心(分别在:中国,美国,法国,韩国,巴西,南非,印度,澳大利亚),能够为客户提供快速和全面的现场服务。随着2009年子公司sindopower的成立,赛米控还扩展了其分销渠道。sindopower是一家电力电子产品网上商店并向中小企业提供技术咨询的电子商务公司。
产品范围包括芯片、半导体分立器件、igbt、二极管和可控硅模块、定制解决方案和集成电子功率单元系统。赛米控是二极管和可控硅半导体模块市场,拥有全球30%的市场份额。
赛米控是一家全球性的电力电子组件和系统制造商,产品主要集中在中等至大功率范围(约2kw-10mw)。产品应用范围包括可调速的工业传动装置、自动化技术、焊接设备和电梯。其他应用包括不间断电源、可再生能源(风能和太阳能)以及电动和混合动力交通工具(商务车、运输工具、跑车、客车)。
大庆微型二极管
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
sirectifier二极管
二极管模块
SDD36N08
SDD36N12
SDD36N14
SDD36N16
SDD36N18
SDD36N08B
SDD36N12B
SDD36N14B
SDD36N16B
SDD36N18B
SDD60N08
SDD60N12
SDD60N14
SDD60N16
SDD60N18
SDD60N08B
SDD60N12B
SDD60N14B
SDD60N16B
SDD60N18B
SDD70N08
SDD70N12
SDD70N14
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SDD100N08
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SDD100N14
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SDD120N12B
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SDD253N16BT
SDD253N18BT
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SDD320N16
SDD320N18
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SDD500N12
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SDD181N12
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大庆微型二极管
vishay二极管
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VSKC71/06P
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-/gbaibbi/-

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