上海秦邦电子科技有限公司
T507047074AQ螺栓可控硅PRX可控硅 2N1806
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产品描述

Vishay 型号ST330S04POV 电压400 封装国际封装 批号new
晶闸管模块就是将晶闸管主电路与移相触发电路以及具有控制功能的电路封装在同一外壳内的新型模块。该模块实际上已是一个准电力电子装置,不论在体积、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面与传统装置却有很大优势,安装、使用特别方便。晶闸管模块的应用范围主要包括:
较为完整的晶闸管模块一般由电力晶闸管、移相触发器、软件控制的单片机、电流、电压、温度传感器以及操作键盘、LED或LCD显示等部分组成。主要应用于固态接触器、继电器、工业电热控温、各种半各体设备精密控温、中、高频热处理电源、电焊设备(整流焊机、二次整流焊机、逆变焊机)激光电源、励磁电源、电镀、电解电源、机械电子设备电源、城市无轨、电动牵引、港口轮船起货机、风机、水泵、轨机、龙门刨、大吊车驱动、超低频钢水、搅拌电源、造纸、纺织。城市供水、污水处理等,可以说在配电系统内的电气控制晶闸管模块都有作为。
体积小,功能齐全,联线简单,控制方便,性能稳定可靠是晶闸管模块的特点,而增大容量,扩大功能,降低成本,系列化是晶闸管模块今后发展趋势。
T507047074AQ螺栓可控硅PRX可控硅
怎么用万用表判断可控硅的好坏?
首先我们看看可控硅的结构及工作原理
可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。
怎么用万用表判断可控硅的好坏
1、可控硅结构
可控硅具有三个PN结(J1、J2、J3),构成了四层P1N1P2N2结构,如下图所示。可控硅对外有三个电极,由层P型半导体引出的电极称为阳极A,由第三层P型半导体引出的电极称为控制极G,由第四层N型半导体引出的电极称为阴极K,其中控制极G的存在使得可控硅的工作特性不同于二极管。
2、可控硅工作原理
在分析可控硅工作原理时,我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成。
当阳极A端加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态,此时由控制极G端输入正向触发信号,使得BG2管有基极电流ib2通过,经过BG2管的放大后,其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基极,故有ib1=ic2,电流又经BG1管的放大作用后,得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。此电流又流回BG2的基极,使得BG2的基极电流ib2增大,从而形成正向反馈使电流剧增,进而使得可控硅饱和并导通。由于在电路中形成了正反馈,所以可控硅一旦导通后无法关断,即使控制极G端的电流消失,可控硅仍能继续维持这种导通的状态。
T507047074AQ螺栓可控硅PRX可控硅
可控硅的主要技术参数
1.正向阻断峰值电压(VPFU)
是指在控制极开路及正向阻断条件下,可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80%。
2.反向阻断峰值电压(VPRU)
它是指在控制极断路和额定结温度下,可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为反向测试电压值的80%。
3.额定正向平均电流(IF)
在环境温度为+40C时,器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率.一般为50Hz或60Hz,我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。
4.正向平均压降(UF)
在规定的条件下,器件通以额定正向平均电流时,在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5.维持电流(IH)
在控制极断开时,器件保持导通状态所必需的小正向电流。
6.控制极触发电流(Ig)
阳极与阴极之间加直流6V电压时,使可控硅完全导通所必需的小控制极直流电流。
7.控制极触发电压(Ug)
是指从阻断转变为导通状态时控制极上所加的小直流电压。
T507047074AQ螺栓可控硅PRX可控硅
可控硅的好坏如何判断?
方法一:测量极间电阻法
将万用表置于皮R×1k档,如果测得T2-T1、T2-G之间的正反向电阻接近∞,而万用表置于R×10档测得T1-G之间的正反向电阻在几十欧姆 时,就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之:
1、若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用;
2、如果测得T1-G之间的正反向电阻很大(接近∞)时,说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏,也不能使用。
方法二:检查触发导通能力A
万用表置于R×10档:①如图,1(a)所示,用黑表笔接主电极T2,红表笔接T1,即给T2加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置,说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的,改黑表笔接主电极T1,红表笔接T2,即给T1加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果结果同上,也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的,即在两个方向(在不同极性的触发电压证)均能触发导通。
方法三:检查触发导通能力B
取一只10uF左右的电解电容器,将万用表置于R×10k档(V电压),对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线,即利用电容器上所充的电压作为触发信号,然后再将万用表置于R×10档,照图2(b)连接好后进行测试。测试时,电容C的极性可任意连接,同样是碰触一下后离开,观察表头指针偏转情况,如果测试结果与“方法二’相同,就证明双向可控硅是好的。
应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。由于电解电容器上充的电压较高,使触发信号增大,更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。
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