上海秦邦电子科技有限公司
T879N12TOF
  • T879N12TOF
  • T879N12TOF
  • T879N12TOF

产品描述

名称晶闸管 封装国际封装 批号new 型号齐全 包装盒装
IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容
可控硅-快速系列,交期快,货源稳,品质保证
注:1、一些商品价格标价为 1.00元并非真实价格,若要相关真实价格可联系QQ或者来电咨询!
2、本店可累积消费,当您在3个月内购买一种产品达到一定的量,多出来的差价我们会给您按数量来判断补差价给予买方。(差价仅在期限里有效哦,用的好别忘了来多买,莫错失哦!)
3 、赛米控(西门康)SEMIKRON 英飞凌 (Infineon)可控硅 IGBT 系列产品,本公司可直接向德国订货,货源稳 交期快 量大更优惠!保证每颗型号都为原装正品新件。
欢迎新老客户咨询!
所报价格均含税含运费价格!如果不明白欢迎来电咨询,谢谢!
原装正品、长期现货、三包承若
期待与贵公司的合作!
愿我公司能给贵公司带来更多的帮助!
T879N12TOF
晶闸管的工作条件
由于晶闸管只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化:
(1)晶闸管承受反向阳极电压时,无论门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。
(2)晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
(3)晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,无论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。
(4)晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。
T879N12TOF
晶闸管损坏原因判断
当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。
1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。
3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。
4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
T879N12TOF
晶闸管的选用
1、选择晶闸管的类型:晶闸管有多种类型,应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等,可选用普通单向晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中,应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等,可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等,可选用BTG晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路,可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路,可选用光控晶闸管。
2、选择晶闸管的主要参数:晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量,其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的工作电压和工作电流1.5~2倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求,不能偏高或偏低,否则会影响晶闸管的正常工作。
-/gbaibbi/-

http://www.hngslt.com

产品推荐