上海秦邦电子科技有限公司
Vishay威士110MT100KPBF整流桥模块费用 S3PDB12N12P
  • Vishay威士110MT100KPBF整流桥模块费用 S3PDB12N12P
  • Vishay威士110MT100KPBF整流桥模块费用 S3PDB12N12P
  • Vishay威士110MT100KPBF整流桥模块费用 S3PDB12N12P

产品描述

型号SKD210/16 批号new 产地德国 电压1600 封装国际封装
电阻测试法
电阻测试法是利用二极管的单向导通特性,测试其正向有电阻读值与反向截止无读值来判断其是否好坏,这套测量整流桥的好坏方法是很常见的一种。
测试方法与步骤为:红笔接整流桥负极,黑笔分别接两个交流脚位,若均有读值显示则说明负极与交流之间的两颗芯片正常;黑笔接整流桥正极,红笔分别探测两个交流脚位,若均有读值显示则表明整流桥正极与交流间的两颗芯片为正常。
测试结果总结:若测试过程中结果反馈如上所述,则表示该整流桥4颗芯片均正常,万用表读值为该测试芯片的内阻值;若出现非一致的情况,比如数值为1(无穷大)则说明整流桥中该颗芯片已经损坏。
Vishay威士110MT100KPBF整流桥模块费用
整流桥的结构:
整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接,两只的为半桥,四只的则称全桥。外部采用绝缘朔料封装而成,大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封,增强散热性能。
Vishay威士110MT100KPBF整流桥模块费用
压降测试法
压降测试法是利用万用表二极管档位直接测试整流桥内部二极管芯片的方法,读值为压降的参考值或近似值。测试方法与电阻测试法大致类似,也是很常见的一种测量整流桥好坏的方法。
测试方法与步骤为:红笔接整流桥负极,黑笔接整流桥正极,此时测试结果为整个整流桥的压降参考值;如需分别测试每颗芯片的压降值,则方法为黑笔接整流桥正极,红笔分别探测两个交流脚位;红笔接整流桥负极,黑笔分别探测两个交流脚位,此时所测结果为内部独立二极管芯片的压降参数值。
测试结果总结:上述测试结果为该整流桥内部二极管芯片压降的参考值,有示数说明该芯片正常,可以辅助判断整流桥通断与好坏情况。如有非一致的情况出现,比如数值为1(无穷大)则说明整流桥中该颗芯片已经损坏。
Vishay威士110MT100KPBF整流桥模块费用
整流桥的参数选择
隔离式开关电源一般采用由整流管构成的整流桥,亦可直接选用成品整流桥,完成桥式整流。全波桥式整流器简称硅整流桥,它是将四只硅整流管接成桥路形式,再用塑料封装而成的半导体器件。它具有体积小、使用方便、各整流管的参数一致性好等优点,可广泛用于开关电源的整流电路。硅整流桥有4个引出端,其中交流输入端、直流输出端各两个。
硅整流桥的整流电流平均值分0.5~40A等多种规格,反向工作电压有50~1000V等多种规格。小功率硅整流桥可直接焊在印刷板上,大、率硅整流桥则要用螺钉固定,并且需安装合适的散热器。
整流桥的主要参数有反向峰值电压URM(V),正向压降UF(V),平均整流电流Id(A),正向峰值浪涌电流IFSM(A),反向漏电流 IR(霢)。
-/gbaibbi/-

http://www.hngslt.com

产品推荐