上海秦邦电子科技有限公司
FZ1200R33KF2C英飞凌IGBT模块 FP10R06YE3
  • FZ1200R33KF2C英飞凌IGBT模块 FP10R06YE3
  • FZ1200R33KF2C英飞凌IGBT模块 FP10R06YE3
  • FZ1200R33KF2C英飞凌IGBT模块 FP10R06YE3

产品描述

系列IGBT系列 infineon英飞凌 封装国际封装 批号new 型号齐全
大量价优供应进口可控硅(晶闸管)、硅整流管分立器件,包括以下产品:
大功率相控可控硅(瑞士ABB、美国IR、东芝TOSHIBA、西码WESTCODE、德国欧派克、富士FUJI、西门子SIEMENS、三菱、三社、NEC、BBC)
大功率双向可控硅(瑞士ABB、富士)   
可关断可控硅GTO(瑞士ABB)   
大功率快速硅整流管(金属封装)(瑞士ABB、西码WESTCODE)
大功率普通硅整流管(瑞士ABB)
FZ1200R33KF2C英飞凌IGBT模块
本公司经营的电子产品广泛地应用于电力、石油、化工、机械、纺织、治金、智能建筑、包装工业、新能源、塑胶工业、矿山等
FZ1200R33KF2C英飞凌IGBT模块
供应ABB平板可控硅,晶闸管
5STP系列相控可控硅(Phase Control Thyristors)
5STP 28L4200 5STP 16F2600 5STP 21F1200 5STP 12F4200
5STP 38N4200 5STP 18H3600
5SDD系列焊接用二极管,整流管(Welding Diodes)
5SDD 71B0200 5SDD 71X0200 5SDD 71X0400
5SGA系列可关断可控硅(GTO)
5SDF系列快恢复二极管(Fast-Recovery Diodes)
FZ1200R33KF2C英飞凌IGBT模块
关于转换电压变化率
当驱动一个大的电感性负载时,在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时,双向可控硅(晶闸管)开始换向,但由于相移的关系,电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时,就没有足够的时间使结间的电荷释放掉,而使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。
为了克服上述问题,可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化,以防止误触发。一般,电阻取100R,电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。
1、日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。
2、德国西门]康SEMIKRON: IGBT模块;可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二极管。
3、德国英飞凌Infineon: IGBT模块; PIM模块;可控硅模块。
4、德国艾赛斯IXYS:快速恢复二极管模块;可控硅模块。
5、日本三菱MITSUBISHI: IGBT模块; IPM模块; PIM模块。
6、日本富士FUJI: IGBT模块; IPM模块;三相整流桥模块。
7、美国威士VISHAY:螺栓二极管;螺栓可控硅。
8、日本东芝TOSHIBA: IGBT模块;整流桥模块; GTO门极关断可控硅。
9、IGBT无感吸收电容:美国CDE;加拿大EACO:德国EPCOS。
10、英国西码WESTCODE:平板型可控硅;平板型二极管;螺栓型可控硅、螺栓型二极管。
11、意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二极管。
12、英国达尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二极管、GTO ]极可关断可控硅
13、瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二极管、GTO门极可关断可控硅。
14、快速熔断器:美国BUSSMANN。
-/gbaibbi/-

http://www.hngslt.com

产品推荐