上海秦邦电子科技有限公司
销售二极管厂 VSKE250-16
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产品描述

vishay 批号new 封装国际封装 系列VSKC 型号VSKC250-12
反向性
外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加
三社二极管模块:
DD25F120
DD25F160
DD40F120
DD40F160
DD55F120
DD55F160
DD70F120
DD70F160
DD90F120
DD90F160
DD110F120
DD110F160
DD130F120
DD130F160
DD160F120
DD100HB120
DD100HB160
DD200HB120
DD200HB160
DD250HB120
DD250HB160
DD30GB40
DD30GB80
DD60KB160
DD60KB120
DD60HB160
DD60HB120
DD60KB80
DD60GB80
DD60GB40
DD100KB160
DD100KB120
DD100KB80
DD100KB40
DD100GB80
DD100GB40
KD30GB40
KD30GB80
KD60GB40
KD60GB80
KD100GB40
KD100GB80
KD30HB120
KD30HB160
KD60HB120
KD60HB160
KD100HB120
KD100HB160
DWR50A30
DWR70A30
MDFR150A-L
MDFR250A-L
MDFR150A-M
MDFR250A-M
MDF250A-L
MDF150A-L
MDF150A-M
DD30HB160
DD30HB120
DD300KB80
DD300KB160
DD300KB40
DD250GB40
DD300KB120
DD240KB120
DD240KB40
DD250GB80
DD240KB80
DD240KB160
DD200KB80
DD200KB160
DD200KB40
DD200GB40
DD200KB120
DD200GB80
DD160KB40
DD160KB120
DD160KB160
DD160KB80
KF100HB120
KF100HB160
MDF150A40
MDF150A50
MDF200A40
MDF200A30
MDF250A30
MDF200A50
MDF250A40
MDF250A50
MDR250A40L
MDR100A30
MDR100A50
MDR100A40
MDR150A40
MDR150A30
MDR150A50
MDR200A30
MDR200A40
MDR200A50
MDR250A30
MDR250A40
MDR250A50
DWR40A40
DWR50A40
DWR70A40
DWR70A30
DWR50A30
DWR40A30
DWR100A40
DWR100A30
DWF70A30
DWF70BB30
DWF50A40
DWF40A40
DWF70BB40
DWF70A40
DWF50A30
DWF40A30
SDWF100A40
DWF100A30
肖特基二极管
DSR200AA60
DSR200BA60
DSR200BA50
DSR300BA60
DSR400AA60
DG20AA120
DG20AA80
DG20AA40
DG20AA160
快速恢复二极管模块
Fast Recovery Diode Modules
FRG150BA50
FRG25BA60
FRG25CA120
FDF60BA60
FDF25CA120
FDF25CA100
FRD100BA60
FRD100CA120
FDS100CA120
FDS100CA100
FDS100BA60
FRS200AA40
FRS200AA60
FRS200CA100
FRS200CA120
FRS300CA50
FRS400CA120
FRS400DA120
FRS400DA100
FRS150BA50
FRS400BA50
FRS400BA60
FRS200BA60
FRS300BA50
FRS400EA180
FRS400EA200
DKR200AB60
DKR300AB60
DKR400AB60
BKR400AC10
BKR400AB10
DKA300AA60
DBA100UA60
DBA100UA40
DBA200UA40
DBA200UA60
销售二极管厂
反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
POWEREX二极管
CD410830
CD410860
CD410899B
CD410899C
CD411099B
CD411099C
CD411230
CD411260
CD411299B
CD411299C
CD411499B
CD411499C
CD411630
CD411660
CD411699B
CD411699C
CD411899C
CD412099C
CD412299C
CD412499C
CD412599C
CD420840B
CD420860B
CD420890B
CD420890C
CD421090B
CD421090C
CD421240B
CD421260B
CD421290B
CD421290C
CD421440B
CD421460B
CD421490B
CD421490C
CD421640B
CD421660B
CD421690B
CD421690C
CD421840B
CD421860B
CD421890B
CD421890C
CD430840B
CD430860B
CD430890B
CD430890C
CD431090B
CD431090C
CD431240B
CD431260B
CD431290B
CD431290C
CD431440B
CD431460B
CD431490B
CD431490C
CD431640B
CD431660B
CD431690B
CD431690C
CD431840B
CD431860B
CD431890C
CD470890B
CD471290B
CD471490B
CD471690B
CD471890B
CD510825
CD511225
CD511625
CD610816B
CD610816C
CD611016B
CD611016C
CD611216B
CD611216C
CD611416B
CD611416C
CD611616B
CD611616C
CD611816B
CD611816C
CD612016B
CD612016C
CD612216B
CD612216C
CD612416C
CD612516C
CD612616C
CD612816C
CD613016C
CD613216C
CD613416C
CD613616C
CD620815B
CD620815C
CD621015B
CD621015C
CD621215B
CD621215C
CD621415B
CD621415C
CD621615B
CD621615C
CD621815B
CD621815C
CD622015C
CD622215C
CD622415C
CD622515C
CD630815B
CD630815C
CD631015B
CD631015C
CD631215B
CD631215C
CD631415B
CD631415C
CD631615B
CD631615C
CD631815B
CD631815C
CD632015C
CD632215C
CD632415C
CD632515C
CM531613
CM531620
CS410899B
CS411299B
CS411499B
CS411699B
CS411899B
CS610816B
CS610816C
CS611016C
CS611216B
CS611216C
CS611416B
CS611416C
CS611616B
CS611616C
CS611816B
CS611816C
CS612016C
CS612216C
CS612416C
CS612516C
CS612616C
CS612816C
CS613016C
CS613216C
CS613416C
CSD3080H
CSD3120H
CSD3160H
CT220802
CT230802
LD410860
LD411260
LD411460
LD411660
LD411860
LD412060
LD412260
LD412460
LD412660
LD420850
LD421250
LD421450
LD421650
LD421843
LD422043
LD422243
LD430850
LD431250
LD431450
LD431650
LD431843
LD431850
LD432043
LD432243
LD470850
LD471250
LD471450
LD471650
销售二极管厂
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
标准二极管模块
特点:
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688
应用:
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
PSKD44/14
PSKD44/16
PSKD44/18
PSKD56/08
PSKD56/12
PSKD56/14
PSKD56/16
PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
PSKD72/16
PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
PSKD95/16
PSKD95/18
PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
PSKD142/16
PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
PSKD172/14
PSKD172/16
PSKD172/18
PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
PSKD250/12
PSKD250/14
PSKD250/16
PSKD250/18
PSKD255/14
PSKD255/16
PSKD255/18
PSKD310/08
PSKD310/12
PSKD310/14
PSKD310/16
PSKD310/18
PSKD312/12
PSKD312/14
PSKD312/16
PSKD312/18
PSKD312/20
PSKD312/22
PSTKD82/06*
PSTKD82/08*
PSTKD82/10*
PSTKD82/12*
PSTKD82/14*
PSTKD82/16*
PSTKD82/18*
PSND75E/02
PSND75E/04
PSND75E/06
PSND75E/08
PSND75E/10
PSND75E/12
PSND100E/02
PSND100E/04
PSND100E/06
PSND100E/08
PSND100E/10
PSND100E/12
PSND150E/02
PSND150E/04
PSND150E/06
PSND150E/08
PSND150E/10
PSND150E/12
PSND200E/02
PSND200E/04
PSND200E/06
PSND200E/08
PSND200E/10
PSND200E/12
PSMD75E/02
PSMD75E/04
PSMD75E/06
PSMD75E/08
PSMD75E/10
PSMD75E/12
PSMD100E/02
PSMD100E/04
PSMD100E/06
PSMD100E/08
PSMD100E/10
PSMD100E/12
PSMD150E/02
PSMD150E/04
PSMD150E/06
PSMD150E/08
PSMD150E/10
PSMD150E/12
PSMD200E/02
PSMD200E/04
PSMD200E/06
PSMD200E/08
PSMD200E/10
PSMD200E/12
销售二极管厂
主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
1、整流电流IF
是指二极管长期连续工作时,允许通过的正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温(25℃)和反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。
6,电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
EUPEC二极管模块:DD Series---- Diode / Diode Phase Control 双二极管模块
DD89N12K
DD89N14K
DD89N16K
DD89N18K
DD98N20K
DD98N22K
DD98N24K
DD98N25K
DD104N12k
DD104N14k
DD104N16k
DD104N18K
DD106N12K
DD106N14K
DD106N16K
DD106N18K
DD106N20K
DD106N22K
DD151N12K
DD151N14K
DD151N16K
DD151N18K
DD151N20K
DD151N22K
DD171N12K
DD171N14K
DD171N16K
DD171N18K
DD175N28K
DD175N30K
DD175N32K
DD175N34K
DD231N20K
DD231N22K
DD231N24K
DD231N26K
DD260N12K
DD260N14K
DD260N16K
DD260N18K
DD261N22K
DD261N24K
DD261N26K
DD285N04K
DD285N06K
DD285N08K
DD350N12K
DD350N14K
DD350N16K
DD350N18K
DD435N28K
DD435N30K
DD435N32K
DD435N34K
DD435N36K
DD435N38K
DD435N40K
DD540N20K
DD540N22K
DD540N24K
DD540N26K
DD600N12K
DD600N14K
DD600N16K
DD600N18K
-/gbaibbi/-

http://www.hngslt.com

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