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SKKE600F12快恢复二极管
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产品描述

名称进口快恢复二极管 封装国际封装 批号new 产地德国 包装盒装
5STP07D1800、5STP09D1801、5STP18F1800、5STP18F1801、5STP27H1800、5STP30H1801、5STP50Q1800 、
SKKE600F12快恢复二极管
5STP34N5200、5STP34Q5200、5STP52U5200、5STP03X6500、5STP03D6500、5STP08G6500、5STP08F65005、
SKKE600F12快恢复二极管
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
ⅥSO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--断态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流
PGM--门极峰值功率
PG----门极平均功率
SKKE600F12快恢复二极管
关于连续峰值开路电压VDRM
在电源不正常的情况下,可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的大值,此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流,那么硅片上局部的电流密度就很高,使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯,容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流,这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰(毛刺)电压加到双向可控硅(晶闸管)上 。
-/gbaibbi/-

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