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东莞知名二极管 SDD100N12
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产品描述

vishay 批号new 封装国际封装 系列VSKC 型号VSKC250-12
小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
半导体是一种具有特殊性质的物质,它不像导体一样能够完全导电,又不像绝缘体那样不能导电,它介于两者之间,所以称为半导体。半导体重要的两种元素是硅(读“gui”)和锗(读“zhe”)。我们常听说的美国硅谷,就是因为起先那里有好多家半导体厂商。
二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前,人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播,这种矿石后来就被做成了晶体二极管。
窗体
产品广泛应用于电焊机、变频器、马达控制器、电力操作电源、电镀电源、UPS、EPS、纺织机械、高频感应加热、变频电源、开关电源、航天航空、机场设施、码头装卸、电机调速、矿山焊机、钻井机械、逆变电源、通信电源、车载电源等提供的服务,并在自动化控制、科研、石油勘测、 医疗机械、消防行业、仪器仪表、通信业、船舶工业、等等,凭借着高质量的产品,良好的信誉,优质的服务,竭诚与国内外商家双赢合作,共同发展,共创辉煌!
东莞知名二极管
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
标准二极管模块
特点:
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688
应用:
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
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PSKD44/18
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PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
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PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
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PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
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PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
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PSKD172/16
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PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
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PSKD312/12
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PSKD312/22
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东莞知名二极管
二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可
各种二极管的符号
各种二极管的符号
分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过
贴片二极管
贴片二极管
较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。
本公司代理销售的电子产品直接从境外进货,能够提供不同国别、厂商的设备配件,解决您多处寻找的麻烦和对产品质量的担心等, 在价格上我们有很大的优势,公司备有大量的现货,是国内库存量多的公司之一,欢迎来电咨询,我们将会给您优质的服务!
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东莞知名二极管
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
sirectifier二极管
二极管模块
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