上海秦邦电子科技有限公司
T3160N18TOF N1802NS160
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产品描述

名称晶闸管 封装国际封装 批号new 型号齐全 包装盒装
IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容
可控硅-快速系列,交期快,货源稳,品质保证
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期待与贵公司的合作!
愿我公司能给贵公司带来更多的帮助!
T3160N18TOF
特价供应WESTCODE、英飞凌、infineon、POWEREX等型号系列电力电子元器件。原装英国西码WESTCODE N系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列、SW系列普通二极管
晶闸管
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高电压
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晶闸管的使用注意事项
选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量。
1、选用可控硅的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
2、使用可控硅之前,应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时,应立即更换。
3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器,并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于良好的散热。
5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。
6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。
T3160N18TOF
晶闸管损坏原因判断
当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。
1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。
3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。
4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
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