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大庆二极管公司 MDD255-20N1
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产品描述

vishay 批号new 封装国际封装 系列VSKC 型号VSKC250-12
二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
正向特性
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
PROTON二极管
二极管模块
MD3-660-18-A2-N
MD3-580-26-A2-N
MD3-470-44-A2-N
MD3-320-65-A2-N
MD3-515-36-A2-N
MD3-380-52-A2-N
MD3-320-18-C-N
MD3-250-26-C-N
MD3-200-34-C-N
MD3-1000-28-D-N
MD3-800-44-D-N
MD1-950-44-E-N
MD1-1125-28-E-N
MD1-1280-22-E-N
MD3-245-18-F-N
MD3-215-22-F-N
MD3-175-28-F-N
MD3-155-36-F-N
大庆二极管公司
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
sirectifier二极管
二极管模块
SDD36N08
SDD36N12
SDD36N14
SDD36N16
SDD36N18
SDD36N08B
SDD36N12B
SDD36N14B
SDD36N16B
SDD36N18B
SDD60N08
SDD60N12
SDD60N14
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SDD60N08B
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SDD60N14B
SDD60N16B
SDD60N18B
SDD70N08
SDD70N12
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SDD70N16
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SDD70N14B
SDD70N16B
SDD70N18B
SDD100N08
SDD100N12
SDD100N14
SDD100N16
SDD100N18
SDD100N08B
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SDD100N18B
SDD120N08
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SDD253N08
SDD253N12
SDD253N14
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SDD253N18
SDD253N08BT
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SDD253N16BT
SDD253N18BT
SDD320N08
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SDD320N14
SDD320N16
SDD320N18
SDD320N08BT
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SDD320N18BT
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SDD600N12BT
SDD500N16
SDD500N12
SDD250N16
SDD250N12
SDD181N16
SDD181N12
SDD27N16
SDD27N12
SDD18N16
SDD18N12
SDD800N18PT
SDD800N08PT
SDD800N12PT
SDD800N16PT
SDD800N14PT
大庆二极管公司
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
标准二极管模块
特点:
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688
应用:
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
PSKD44/14
PSKD44/16
PSKD44/18
PSKD56/08
PSKD56/12
PSKD56/14
PSKD56/16
PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
PSKD72/16
PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
PSKD95/16
PSKD95/18
PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
PSKD142/16
PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
PSKD172/14
PSKD172/16
PSKD172/18
PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
PSKD250/12
PSKD250/14
PSKD250/16
PSKD250/18
PSKD255/14
PSKD255/16
PSKD255/18
PSKD310/08
PSKD310/12
PSKD310/14
PSKD310/16
PSKD310/18
PSKD312/12
PSKD312/14
PSKD312/16
PSKD312/18
PSKD312/20
PSKD312/22
PSTKD82/06*
PSTKD82/08*
PSTKD82/10*
PSTKD82/12*
PSTKD82/14*
PSTKD82/16*
PSTKD82/18*
PSND75E/02
PSND75E/04
PSND75E/06
PSND75E/08
PSND75E/10
PSND75E/12
PSND100E/02
PSND100E/04
PSND100E/06
PSND100E/08
PSND100E/10
PSND100E/12
PSND150E/02
PSND150E/04
PSND150E/06
PSND150E/08
PSND150E/10
PSND150E/12
PSND200E/02
PSND200E/04
PSND200E/06
PSND200E/08
PSND200E/10
PSND200E/12
PSMD75E/02
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PSMD75E/06
PSMD75E/08
PSMD75E/10
PSMD75E/12
PSMD100E/02
PSMD100E/04
PSMD100E/06
PSMD100E/08
PSMD100E/10
PSMD100E/12
PSMD150E/02
PSMD150E/04
PSMD150E/06
PSMD150E/08
PSMD150E/10
PSMD150E/12
PSMD200E/02
PSMD200E/04
PSMD200E/06
PSMD200E/08
PSMD200E/10
PSMD200E/12
大庆二极管公司
二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可
各种二极管的符号
各种二极管的符号
分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过
贴片二极管
贴片二极管
较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。
本公司代理销售的电子产品直接从境外进货,能够提供不同国别、厂商的设备配件,解决您多处寻找的麻烦和对产品质量的担心等, 在价格上我们有很大的优势,公司备有大量的现货,是国内库存量多的公司之一,欢迎来电咨询,我们将会给您优质的服务!
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本公司长期供应三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、欧派克(EUPEC)、西门康(SEMIKRON)、SIEMENS西门子、西码(WESTCODE)、三社(SANREX) 、ABB公司现代功率器件(IGBT、GTR、IPM、PIM、GTO、单,双向可控硅、平板系列模块、熔断器等。
-/gbaibbi/-

http://www.hngslt.com

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