上海秦邦电子科技有限公司
MCC21-16io8BIXYS可控硅促销 艾赛斯可控硅
  • MCC21-16io8BIXYS可控硅促销 艾赛斯可控硅
  • MCC21-16io8BIXYS可控硅促销 艾赛斯可控硅
  • MCC21-16io8BIXYS可控硅促销 艾赛斯可控硅

产品描述

产地德国 名称可控硅模块 封装国际封装 批号new 系列MCC MCD TT
特性曲线
与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。
对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
MCC21-16io8BIXYS可控硅促销
二极管主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线。
⒈正向特性
当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通,处于“截止”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电
二极管伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线
压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-0.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线Ⅱ段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。
⒋频率特性
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。
MCC21-16io8BIXYS可控硅促销
SW16-24CXC380 SW06-15CXC300 SW04-15CXC470 SW20-32CXC445
SW16-25CXC565 SW50-56CXC350 SW30-45CXC515 SW30-36CXC595
SW24-30CXC635 SW08-22CXC805 SW02-12CXC935 SW50-60CXC620
SW40-50CXC815 SW36-45CXC920 SW16-25CXC 11C SW30-40CXC1170
SW28-35CXC12C SW08-20CXC 14C SW02-06CXC 19C SW36-45CXC1100
SW30-40CXC 13C SW16-28CXC 16C SW30-34CXC 17C SW02-14CXC 27C
SW40-45CXC 15C SW34-45CXC1870 SW24-35CXC 18C SW20-30CXC 21C
SW12-22CXC 26C
MCC21-16io8BIXYS可控硅促销
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
-/gbaibbi/-

http://www.hngslt.com

产品推荐