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ST180S20P0螺栓可控硅PRX可控硅
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产品描述

Vishay 型号ST330S04POV 电压400 封装国际封装 批号new
多种用途的可控硅
根据结构及用途的不同,可控硅已有很多不同的类型,除上述介绍的整流用普通可控硅之外还有;①快速可控硅。这种可控硅可以工作在较高的频率下,用于大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和雷达调制器等电路中。②双向可控硅。它的特点是可以使用正的或负的控制极脉冲,控制两个方向电流的导通。它主要用于交流控制电路,如温度控制、灯光调节及直流电极调速和换向电路等。③逆导可控硅。主要用于直流供电车辆(如无轨电车)的调速。④可关断可控硅。这是一种新型可控硅,它利用正的控制极脉冲可触发导通,而用负的控制极脉冲可以关断阳极电流,恢复阻断状态。利用这种特性可以做成无触点开关或用于直流调压、电视机中行扫描电路及高压脉冲发生器电路等。
ST180S20P0螺栓可控硅PRX可控硅
可控硅的好坏如何判断?
方法一:测量极间电阻法
将万用表置于皮R×1k档,如果测得T2-T1、T2-G之间的正反向电阻接近∞,而万用表置于R×10档测得T1-G之间的正反向电阻在几十欧姆 时,就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之:
1、若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用;
2、如果测得T1-G之间的正反向电阻很大(接近∞)时,说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏,也不能使用。
方法二:检查触发导通能力A
万用表置于R×10档:①如图,1(a)所示,用黑表笔接主电极T2,红表笔接T1,即给T2加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置,说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的,改黑表笔接主电极T1,红表笔接T2,即给T1加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果结果同上,也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的,即在两个方向(在不同极性的触发电压证)均能触发导通。
方法三:检查触发导通能力B
取一只10uF左右的电解电容器,将万用表置于R×10k档(V电压),对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线,即利用电容器上所充的电压作为触发信号,然后再将万用表置于R×10档,照图2(b)连接好后进行测试。测试时,电容C的极性可任意连接,同样是碰触一下后离开,观察表头指针偏转情况,如果测试结果与“方法二’相同,就证明双向可控硅是好的。
应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。由于电解电容器上充的电压较高,使触发信号增大,更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。
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怎么用万用表判断可控硅的好坏?
首先我们看看可控硅的结构及工作原理
可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。
怎么用万用表判断可控硅的好坏
1、可控硅结构
可控硅具有三个PN结(J1、J2、J3),构成了四层P1N1P2N2结构,如下图所示。可控硅对外有三个电极,由层P型半导体引出的电极称为阳极A,由第三层P型半导体引出的电极称为控制极G,由第四层N型半导体引出的电极称为阴极K,其中控制极G的存在使得可控硅的工作特性不同于二极管。
2、可控硅工作原理
在分析可控硅工作原理时,我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成。
当阳极A端加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态,此时由控制极G端输入正向触发信号,使得BG2管有基极电流ib2通过,经过BG2管的放大后,其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基极,故有ib1=ic2,电流又经BG1管的放大作用后,得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。此电流又流回BG2的基极,使得BG2的基极电流ib2增大,从而形成正向反馈使电流剧增,进而使得可控硅饱和并导通。由于在电路中形成了正反馈,所以可控硅一旦导通后无法关断,即使控制极G端的电流消失,可控硅仍能继续维持这种导通的状态。
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可控硅的主要技术参数
1.正向阻断峰值电压(VPFU)
是指在控制极开路及正向阻断条件下,可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80%。
2.反向阻断峰值电压(VPRU)
它是指在控制极断路和额定结温度下,可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为反向测试电压值的80%。
3.额定正向平均电流(IF)
在环境温度为+40C时,器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率.一般为50Hz或60Hz,我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。
4.正向平均压降(UF)
在规定的条件下,器件通以额定正向平均电流时,在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5.维持电流(IH)
在控制极断开时,器件保持导通状态所必需的小正向电流。
6.控制极触发电流(Ig)
阳极与阴极之间加直流6V电压时,使可控硅完全导通所必需的小控制极直流电流。
7.控制极触发电压(Ug)
是指从阻断转变为导通状态时控制极上所加的小直流电压。
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