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沧州二极管费用 SDD600N12BT
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产品描述

vishay 批号new 封装国际封装 系列VSKC 型号VSKC250-12
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
标准二极管模块
特点:
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688
应用:
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
PSKD44/14
PSKD44/16
PSKD44/18
PSKD56/08
PSKD56/12
PSKD56/14
PSKD56/16
PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
PSKD72/16
PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
PSKD95/16
PSKD95/18
PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
PSKD142/16
PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
PSKD172/14
PSKD172/16
PSKD172/18
PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
PSKD250/12
PSKD250/14
PSKD250/16
PSKD250/18
PSKD255/14
PSKD255/16
PSKD255/18
PSKD310/08
PSKD310/12
PSKD310/14
PSKD310/16
PSKD310/18
PSKD312/12
PSKD312/14
PSKD312/16
PSKD312/18
PSKD312/20
PSKD312/22
PSTKD82/06*
PSTKD82/08*
PSTKD82/10*
PSTKD82/12*
PSTKD82/14*
PSTKD82/16*
PSTKD82/18*
PSND75E/02
PSND75E/04
PSND75E/06
PSND75E/08
PSND75E/10
PSND75E/12
PSND100E/02
PSND100E/04
PSND100E/06
PSND100E/08
PSND100E/10
PSND100E/12
PSND150E/02
PSND150E/04
PSND150E/06
PSND150E/08
PSND150E/10
PSND150E/12
PSND200E/02
PSND200E/04
PSND200E/06
PSND200E/08
PSND200E/10
PSND200E/12
PSMD75E/02
PSMD75E/04
PSMD75E/06
PSMD75E/08
PSMD75E/10
PSMD75E/12
PSMD100E/02
PSMD100E/04
PSMD100E/06
PSMD100E/08
PSMD100E/10
PSMD100E/12
PSMD150E/02
PSMD150E/04
PSMD150E/06
PSMD150E/08
PSMD150E/10
PSMD150E/12
PSMD200E/02
PSMD200E/04
PSMD200E/06
PSMD200E/08
PSMD200E/10
PSMD200E/12
沧州二极管费用
vishay二极管
VSKC166/04PBF
VSKC166/08PBF
VSKC166/12PBF
VSKC166/16PBF
VSKC196/04PBF
VSKC196/08PBF
VSKC196/12PBF
VSKC236/04PBF
VSKC236/12PBF
VSKC236/16PBF
VSKC250-08
VSKC250-12
VSKC250-16
VSKC270-04
VSKC270-12
VSKC320-04
VSKC320-08
VSKC320-12
VSKC320-16
VSKC320-20
VSKC56/04P
VSKC56/06P
VSKC56/08P
VSKC56/10P
VSKC56/12P
VSKC56/14P
VSKC56/16P
VSKC71/04P
VSKC71/06P
VSKC71/08P
VSKC71/10P
VSKC71/12P
VSKC71/14P
VSKC71/16P
VSKC91/04P
VSKC91/06P
VSKC91/08P
VSKC91/10P
VSKC91/12P
VSKC91/14P
VSKC91/16P
VSKD166/04PBF
VSKD166/08PBF
VSKD166/12PBF
VSKD166/14PBF
VSKD166/16PBF
VSKD196/04PBF
VSKD196/08PBF
VSKD196/12PBF
VSKD196/16PBF
VSKD236/04PBF
VSKD236/08PBF
VSKD236/12PBF
VSKD236/16PBF
VSKD250-04
VSKD250-08
VSKD250-12
VSKD250-16
VSKD250-20
VSKD270-04
VSKD270-08
VSKD270-12
VSKD270-16
VSKD270-30
VSKD320-04
VSKD320-08
VSKD320-12
VSKD320-16
VSKD320-20
VSKD56/04P
VSKD56/06P
VSKD56/08P
VSKD56/10P
VSKD56/12P
VSKD56/14P
VSKD56/16P
VSKD600-08
VSKD600-12
VSKD600-16
VSKD600-20
VSKD71/04P
VSKD71/06P
VSKD71/08P
VSKD71/10P
VSKD71/12P
VSKD71/14P
VSKD71/16P
VSKD91/04P
VSKD91/06P
VSKD91/08P
VSKD91/10P
VSKD91/12P
VSKD91/14P
VSKD91/16P
沧州二极管费用
反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
POWEREX二极管
CD410830
CD410860
CD410899B
CD410899C
CD411099B
CD411099C
CD411230
CD411260
CD411299B
CD411299C
CD411499B
CD411499C
CD411630
CD411660
CD411699B
CD411699C
CD411899C
CD412099C
CD412299C
CD412499C
CD412599C
CD420840B
CD420860B
CD420890B
CD420890C
CD421090B
CD421090C
CD421240B
CD421260B
CD421290B
CD421290C
CD421440B
CD421460B
CD421490B
CD421490C
CD421640B
CD421660B
CD421690B
CD421690C
CD421840B
CD421860B
CD421890B
CD421890C
CD430840B
CD430860B
CD430890B
CD430890C
CD431090B
CD431090C
CD431240B
CD431260B
CD431290B
CD431290C
CD431440B
CD431460B
CD431490B
CD431490C
CD431640B
CD431660B
CD431690B
CD431690C
CD431840B
CD431860B
CD431890C
CD470890B
CD471290B
CD471490B
CD471690B
CD471890B
CD510825
CD511225
CD511625
CD610816B
CD610816C
CD611016B
CD611016C
CD611216B
CD611216C
CD611416B
CD611416C
CD611616B
CD611616C
CD611816B
CD611816C
CD612016B
CD612016C
CD612216B
CD612216C
CD612416C
CD612516C
CD612616C
CD612816C
CD613016C
CD613216C
CD613416C
CD613616C
CD620815B
CD620815C
CD621015B
CD621015C
CD621215B
CD621215C
CD621415B
CD621415C
CD621615B
CD621615C
CD621815B
CD621815C
CD622015C
CD622215C
CD622415C
CD622515C
CD630815B
CD630815C
CD631015B
CD631015C
CD631215B
CD631215C
CD631415B
CD631415C
CD631615B
CD631615C
CD631815B
CD631815C
CD632015C
CD632215C
CD632415C
CD632515C
CM531613
CM531620
CS410899B
CS411299B
CS411499B
CS411699B
CS411899B
CS610816B
CS610816C
CS611016C
CS611216B
CS611216C
CS611416B
CS611416C
CS611616B
CS611616C
CS611816B
CS611816C
CS612016C
CS612216C
CS612416C
CS612516C
CS612616C
CS612816C
CS613016C
CS613216C
CS613416C
CSD3080H
CSD3120H
CSD3160H
CT220802
CT230802
LD410860
LD411260
LD411460
LD411660
LD411860
LD412060
LD412260
LD412460
LD412660
LD420850
LD421250
LD421450
LD421650
LD421843
LD422043
LD422243
LD430850
LD431250
LD431450
LD431650
LD431843
LD431850
LD432043
LD432243
LD470850
LD471250
LD471450
LD471650
沧州二极管费用
二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可
各种二极管的符号
各种二极管的符号
分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过
贴片二极管
贴片二极管
较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。
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本公司长期供应三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、欧派克(EUPEC)、西门康(SEMIKRON)、SIEMENS西门子、西码(WESTCODE)、三社(SANREX) 、ABB公司现代功率器件(IGBT、GTR、IPM、PIM、GTO、单,双向可控硅、平板系列模块、熔断器等。
-/gbaibbi/-

http://www.hngslt.com

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