上海秦邦电子科技有限公司
盐城IXYS可控硅价格
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产品描述

产地德国 名称可控硅模块 封装国际封装 批号new 系列MCC MCD TT
二极管的正负二个端子。正端A称为阳极,负端K ;称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识:“半导体的一‘半’是一半的‘半’;而二极管也是只有一‘半’电流流动(这是错误的),所有二极管就是半导体 ;”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。
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供应英国西码WESTCODE平板可控硅,晶闸管元件
●N系列相控可控硅(Phase Control Thyristors)
●R系列快速可控硅(Distributed Gate Thyristors)
●SM系列快速二极管(Fast Recovery Diodes)
●SW系列普通二极管(Rectifier Diodes)
N170CH12-16 N195CH12-16 N275CH02-08 N282CH20-25 N281CH12-18
N280CH12-16 N283CH12-14 N310CH02-06 N255CH36-45 N257CH26-42
N260CH30-36 N330CH20-26 N350CH12-18 N370CH12-18 N520CH12-16
N320CH40-45 N360CH30-38 N390CH30-32 N450CH20-26 N490CH20-26
N510CH16-20 N540CH12-18 N600CH12-16 N610CH06-10 N500CH30-42
N570CH30-36 N680CH20-26 N740CH12-16 N560CH40-45 N630CH30-36
N640CH24-30 N760CH18-22 N990CH12-16 N750CH40-45 N850CH30-36
N880CH24-30 N900CH20-26 N1400CH02-20 N1600CH08-12 N1463CH36-42
N1663CH30-35 N1863CH20-28 N1483CH36-42 N1683CH29-35
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晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
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特性曲线
与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。
对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
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