上海秦邦电子科技有限公司
德国FS15R06XL4英飞凌IGBT模块 CM30TF-24H
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产品描述

系列IGBT系列 infineon英飞凌 封装国际封装 批号new 型号齐全
本公司经营的电子产品广泛地应用于电力、石油、化工、机械、纺织、治金、智能建筑、包装工业、新能源、塑胶工业、矿山等
德国FS15R06XL4英飞凌IGBT模块
静态特性
三菱制大功率IGBT模块
三菱制大功率IGBT模块
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。
德国FS15R06XL4英飞凌IGBT模块
供应ABB平板可控硅,晶闸管
5STP系列相控可控硅(Phase Control Thyristors)
5STP 28L4200 5STP 16F2600 5STP 21F1200 5STP 12F4200
5STP 38N4200 5STP 18H3600
5SDD系列焊接用二极管,整流管(Welding Diodes)
5SDD 71B0200 5SDD 71X0200 5SDD 71X0400
5SGA系列可关断可控硅(GTO)
5SDF系列快恢复二极管(Fast-Recovery Diodes)
德国FS15R06XL4英飞凌IGBT模块
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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