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东莞自动二极管 SDD36N08B
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产品描述

vishay 批号new 封装国际封装 系列VSKC 型号VSKC250-12
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
标准二极管模块
特点:
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688
应用:
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
PSKD44/14
PSKD44/16
PSKD44/18
PSKD56/08
PSKD56/12
PSKD56/14
PSKD56/16
PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
PSKD72/16
PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
PSKD95/16
PSKD95/18
PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
PSKD142/16
PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
PSKD172/14
PSKD172/16
PSKD172/18
PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
PSKD250/12
PSKD250/14
PSKD250/16
PSKD250/18
PSKD255/14
PSKD255/16
PSKD255/18
PSKD310/08
PSKD310/12
PSKD310/14
PSKD310/16
PSKD310/18
PSKD312/12
PSKD312/14
PSKD312/16
PSKD312/18
PSKD312/20
PSKD312/22
PSTKD82/06*
PSTKD82/08*
PSTKD82/10*
PSTKD82/12*
PSTKD82/14*
PSTKD82/16*
PSTKD82/18*
PSND75E/02
PSND75E/04
PSND75E/06
PSND75E/08
PSND75E/10
PSND75E/12
PSND100E/02
PSND100E/04
PSND100E/06
PSND100E/08
PSND100E/10
PSND100E/12
PSND150E/02
PSND150E/04
PSND150E/06
PSND150E/08
PSND150E/10
PSND150E/12
PSND200E/02
PSND200E/04
PSND200E/06
PSND200E/08
PSND200E/10
PSND200E/12
PSMD75E/02
PSMD75E/04
PSMD75E/06
PSMD75E/08
PSMD75E/10
PSMD75E/12
PSMD100E/02
PSMD100E/04
PSMD100E/06
PSMD100E/08
PSMD100E/10
PSMD100E/12
PSMD150E/02
PSMD150E/04
PSMD150E/06
PSMD150E/08
PSMD150E/10
PSMD150E/12
PSMD200E/02
PSMD200E/04
PSMD200E/06
PSMD200E/08
PSMD200E/10
PSMD200E/12
东莞自动二极管
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
sirectifier二极管
二极管模块
SDD36N08
SDD36N12
SDD36N14
SDD36N16
SDD36N18
SDD36N08B
SDD36N12B
SDD36N14B
SDD36N16B
SDD36N18B
SDD60N08
SDD60N12
SDD60N14
SDD60N16
SDD60N18
SDD60N08B
SDD60N12B
SDD60N14B
SDD60N16B
SDD60N18B
SDD70N08
SDD70N12
SDD70N14
SDD70N16
SDD70N18
SDD70N08B
SDD70N12B
SDD70N14B
SDD70N16B
SDD70N18B
SDD100N08
SDD100N12
SDD100N14
SDD100N16
SDD100N18
SDD100N08B
SDD100N12B
SDD100N14B
SDD100N16B
SDD100N18B
SDD120N08
SDD120N12
SDD120N14
SDD120N16
SDD120N18
SDD120N08B
SDD120N12B
SDD120N14B
SDD120N16B
SDD120N18B
SDD165N08
SDD165N12
SDD165N14
SDD165N16
SDD165N18
SDD165N08B
SDD165N12B
SDD165N14B
SDD165N16B
SDD165N18B
SDD190N08
SDD190N12
SDD190N14
SDD190N16
SDD190N18
SDD190N08B
SDD190N12B
SDD190N14B
SDD190N16B
SDD190N18B
SDD253N08
SDD253N12
SDD253N14
SDD253N16
SDD253N18
SDD253N08BT
SDD253N12BT
SDD253N14BT
SDD253N16BT
SDD253N18BT
SDD320N08
SDD320N12
SDD320N14
SDD320N16
SDD320N18
SDD320N08BT
SDD320N12BT
SDD320N14BT
SDD320N16BT
SDD320N18BT
SDD600N08BT
SDD600N14BT
SDD600N18BT
SDD600N16BT
SDD600N12BT
SDD500N16
SDD500N12
SDD250N16
SDD250N12
SDD181N16
SDD181N12
SDD27N16
SDD27N12
SDD18N16
SDD18N12
SDD800N18PT
SDD800N08PT
SDD800N12PT
SDD800N16PT
SDD800N14PT
东莞自动二极管
发光分类
1.按发光管发光颜色分
按发光管发光颜色分,可分成红色、橙色、绿色(又细分黄绿、标准绿和纯绿)、蓝光等。另外,有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色,上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管适合做指示灯用。
2.按发光管出光面特征分
按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。
圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1;把 ;φ5mm的记作T-1(3/4);把φ4.4mm的记作T-1(1/4)。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类:
⑴高指向性。一般为尖头环氧封装,或是带金属反射腔封装,且不加散射剂。半值角为5°~20°或更小,具有很高的指向性,可作局部照明光源用,或与光检出器联用以组成自动检测系统。
⑵标准型。通常作指示灯用,其半值角为20°~45°。
⑶散射型。这是视角较大的指示灯,半值角为45°~90°或更大,散射剂的量较大。
本公司代理销售的进口功率模块广泛应用于电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
产品技术含量高,不是国内的产品所能替代的。主要应用领域:高压直流输电 牵引与传动 静止无功补偿 感应加热 软启动 大电流电源 励磁
面向全国,苏州优质模块供应商,代理商。
全新原装,特约代理,大量现货库存 SIEMENS
ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、IXYS 、SEMIKRON 、CATELEC 、SanRex、MITSUBISHI、EUPEC 、infineon 、POWERSEM 、DAWIN、TYCO
可控硅 IGBT IPM PIM系列模块优势代理
东莞自动二极管
反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
POWEREX二极管
CD410830
CD410860
CD410899B
CD410899C
CD411099B
CD411099C
CD411230
CD411260
CD411299B
CD411299C
CD411499B
CD411499C
CD411630
CD411660
CD411699B
CD411699C
CD411899C
CD412099C
CD412299C
CD412499C
CD412599C
CD420840B
CD420860B
CD420890B
CD420890C
CD421090B
CD421090C
CD421240B
CD421260B
CD421290B
CD421290C
CD421440B
CD421460B
CD421490B
CD421490C
CD421640B
CD421660B
CD421690B
CD421690C
CD421840B
CD421860B
CD421890B
CD421890C
CD430840B
CD430860B
CD430890B
CD430890C
CD431090B
CD431090C
CD431240B
CD431260B
CD431290B
CD431290C
CD431440B
CD431460B
CD431490B
CD431490C
CD431640B
CD431660B
CD431690B
CD431690C
CD431840B
CD431860B
CD431890C
CD470890B
CD471290B
CD471490B
CD471690B
CD471890B
CD510825
CD511225
CD511625
CD610816B
CD610816C
CD611016B
CD611016C
CD611216B
CD611216C
CD611416B
CD611416C
CD611616B
CD611616C
CD611816B
CD611816C
CD612016B
CD612016C
CD612216B
CD612216C
CD612416C
CD612516C
CD612616C
CD612816C
CD613016C
CD613216C
CD613416C
CD613616C
CD620815B
CD620815C
CD621015B
CD621015C
CD621215B
CD621215C
CD621415B
CD621415C
CD621615B
CD621615C
CD621815B
CD621815C
CD622015C
CD622215C
CD622415C
CD622515C
CD630815B
CD630815C
CD631015B
CD631015C
CD631215B
CD631215C
CD631415B
CD631415C
CD631615B
CD631615C
CD631815B
CD631815C
CD632015C
CD632215C
CD632415C
CD632515C
CM531613
CM531620
CS410899B
CS411299B
CS411499B
CS411699B
CS411899B
CS610816B
CS610816C
CS611016C
CS611216B
CS611216C
CS611416B
CS611416C
CS611616B
CS611616C
CS611816B
CS611816C
CS612016C
CS612216C
CS612416C
CS612516C
CS612616C
CS612816C
CS613016C
CS613216C
CS613416C
CSD3080H
CSD3120H
CSD3160H
CT220802
CT230802
LD410860
LD411260
LD411460
LD411660
LD411860
LD412060
LD412260
LD412460
LD412660
LD420850
LD421250
LD421450
LD421650
LD421843
LD422043
LD422243
LD430850
LD431250
LD431450
LD431650
LD431843
LD431850
LD432043
LD432243
LD470850
LD471250
LD471450
LD471650
-/gbaibbi/-

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