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S3PDB250N10
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产品描述

型号SKD210/16 批号new 产地德国 电压1600 封装国际封装
压降测试法
压降测试法是利用万用表二极管档位直接测试整流桥内部二极管芯片的方法,读值为压降的参考值或近似值。测试方法与电阻测试法大致类似,也是很常见的一种测量整流桥好坏的方法。
测试方法与步骤为:红笔接整流桥负极,黑笔接整流桥正极,此时测试结果为整个整流桥的压降参考值;如需分别测试每颗芯片的压降值,则方法为黑笔接整流桥正极,红笔分别探测两个交流脚位;红笔接整流桥负极,黑笔分别探测两个交流脚位,此时所测结果为内部独立二极管芯片的压降参数值。
测试结果总结:上述测试结果为该整流桥内部二极管芯片压降的参考值,有示数说明该芯片正常,可以辅助判断整流桥通断与好坏情况。如有非一致的情况出现,比如数值为1(无穷大)则说明整流桥中该颗芯片已经损坏。
S3PDB250N10
整流桥故障检测方法:
(1)如果正极性和负极性直流输出电压都不正常时,可以不必检查整流二极管,而是检测电源变压器,因为几只整流二极管同时出现相同故障的可能性较小。
(2)对于某一组整流电路出现故障时,可按前面介绍的故障检测方法进行检查。这一电路中整流二极管中的二极管VD1和VD3、VD2和VD4是直流电路并联的,进行在路检测时会相互影响,所以准确的检测应该将二极管脱开电路。
S3PDB250N10
整流桥的结构:
整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接,两只的为半桥,四只的则称全桥。外部采用绝缘朔料封装而成,大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封,增强散热性能。
S3PDB250N10
FM2G100US60
FM2G150US60
FM2G200US60
FM2G300US60
FM2G400US60
FM2G50U60
FMBH1G50US60
FMBL1G50US60
FM2G75US60
FMBH1G75US60
FMBL1G75US60
FMBH1G100US60
FMBL1G100US60
FMBH1G150US60
FMGL1G150US60
FMBL1G200US60
FMBH1G200US60
FMBH1G300US60
FMBL1G300US60
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FM2G150US120
FME6G10SU60
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FMC7G10US60
FME6G15US60
FMC6G15US60
FMC7G15US60
FME6G20US60
FMC6G20US60
FMC7G20US60
FME6G30US60
FMC6G30US60
FMC7G30US60
FMC6G50US60
FMC7G50US60
FME6G5US120
FMC7G5US120
FME6G10US120
FMC7G10US120
FME6G15US120
FMC7G15US120
FME6G20US120
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FMC7G25US120
FM2G200US120
FMC7G10US60
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FMC7G50US60
FMC6G10US60
SME6G10US60
SME6G15US60
FMC6G15US60
FMC6G20US60
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