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沧州二极管电话 CDD320N14
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产品描述

vishay 批号new 封装国际封装 系列VSKC 型号VSKC250-12
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
sirectifier二极管
二极管模块
SDD36N08
SDD36N12
SDD36N14
SDD36N16
SDD36N18
SDD36N08B
SDD36N12B
SDD36N14B
SDD36N16B
SDD36N18B
SDD60N08
SDD60N12
SDD60N14
SDD60N16
SDD60N18
SDD60N08B
SDD60N12B
SDD60N14B
SDD60N16B
SDD60N18B
SDD70N08
SDD70N12
SDD70N14
SDD70N16
SDD70N18
SDD70N08B
SDD70N12B
SDD70N14B
SDD70N16B
SDD70N18B
SDD100N08
SDD100N12
SDD100N14
SDD100N16
SDD100N18
SDD100N08B
SDD100N12B
SDD100N14B
SDD100N16B
SDD100N18B
SDD120N08
SDD120N12
SDD120N14
SDD120N16
SDD120N18
SDD120N08B
SDD120N12B
SDD120N14B
SDD120N16B
SDD120N18B
SDD165N08
SDD165N12
SDD165N14
SDD165N16
SDD165N18
SDD165N08B
SDD165N12B
SDD165N14B
SDD165N16B
SDD165N18B
SDD190N08
SDD190N12
SDD190N14
SDD190N16
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SDD190N14B
SDD190N16B
SDD190N18B
SDD253N08
SDD253N12
SDD253N14
SDD253N16
SDD253N18
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SDD253N12BT
SDD253N14BT
SDD253N16BT
SDD253N18BT
SDD320N08
SDD320N12
SDD320N14
SDD320N16
SDD320N18
SDD320N08BT
SDD320N12BT
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SDD320N16BT
SDD320N18BT
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SDD600N18BT
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SDD500N12
SDD250N16
SDD250N12
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SDD181N12
SDD27N16
SDD27N12
SDD18N16
SDD18N12
SDD800N18PT
SDD800N08PT
SDD800N12PT
SDD800N16PT
SDD800N14PT
沧州二极管电话
主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
1、整流电流IF
是指二极管长期连续工作时,允许通过的正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温(25℃)和反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。
6,电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
EUPEC二极管模块:DD Series---- Diode / Diode Phase Control 双二极管模块
DD89N12K
DD89N14K
DD89N16K
DD89N18K
DD98N20K
DD98N22K
DD98N24K
DD98N25K
DD104N12k
DD104N14k
DD104N16k
DD104N18K
DD106N12K
DD106N14K
DD106N16K
DD106N18K
DD106N20K
DD106N22K
DD151N12K
DD151N14K
DD151N16K
DD151N18K
DD151N20K
DD151N22K
DD171N12K
DD171N14K
DD171N16K
DD171N18K
DD175N28K
DD175N30K
DD175N32K
DD175N34K
DD231N20K
DD231N22K
DD231N24K
DD231N26K
DD260N12K
DD260N14K
DD260N16K
DD260N18K
DD261N22K
DD261N24K
DD261N26K
DD285N04K
DD285N06K
DD285N08K
DD350N12K
DD350N14K
DD350N16K
DD350N18K
DD435N28K
DD435N30K
DD435N32K
DD435N34K
DD435N36K
DD435N38K
DD435N40K
DD540N20K
DD540N22K
DD540N24K
DD540N26K
DD600N12K
DD600N14K
DD600N16K
DD600N18K
沧州二极管电话
反向性
外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加
三社二极管模块:
DD25F120
DD25F160
DD40F120
DD40F160
DD55F120
DD55F160
DD70F120
DD70F160
DD90F120
DD90F160
DD110F120
DD110F160
DD130F120
DD130F160
DD160F120
DD100HB120
DD100HB160
DD200HB120
DD200HB160
DD250HB120
DD250HB160
DD30GB40
DD30GB80
DD60KB160
DD60KB120
DD60HB160
DD60HB120
DD60KB80
DD60GB80
DD60GB40
DD100KB160
DD100KB120
DD100KB80
DD100KB40
DD100GB80
DD100GB40
KD30GB40
KD30GB80
KD60GB40
KD60GB80
KD100GB40
KD100GB80
KD30HB120
KD30HB160
KD60HB120
KD60HB160
KD100HB120
KD100HB160
DWR50A30
DWR70A30
MDFR150A-L
MDFR250A-L
MDFR150A-M
MDFR250A-M
MDF250A-L
MDF150A-L
MDF150A-M
DD30HB160
DD30HB120
DD300KB80
DD300KB160
DD300KB40
DD250GB40
DD300KB120
DD240KB120
DD240KB40
DD250GB80
DD240KB80
DD240KB160
DD200KB80
DD200KB160
DD200KB40
DD200GB40
DD200KB120
DD200GB80
DD160KB40
DD160KB120
DD160KB160
DD160KB80
KF100HB120
KF100HB160
MDF150A40
MDF150A50
MDF200A40
MDF200A30
MDF250A30
MDF200A50
MDF250A40
MDF250A50
MDR250A40L
MDR100A30
MDR100A50
MDR100A40
MDR150A40
MDR150A30
MDR150A50
MDR200A30
MDR200A40
MDR200A50
MDR250A30
MDR250A40
MDR250A50
DWR40A40
DWR50A40
DWR70A40
DWR70A30
DWR50A30
DWR40A30
DWR100A40
DWR100A30
DWF70A30
DWF70BB30
DWF50A40
DWF40A40
DWF70BB40
DWF70A40
DWF50A30
DWF40A30
SDWF100A40
DWF100A30
肖特基二极管
DSR200AA60
DSR200BA60
DSR200BA50
DSR300BA60
DSR400AA60
DG20AA120
DG20AA80
DG20AA40
DG20AA160
快速恢复二极管模块
Fast Recovery Diode Modules
FRG150BA50
FRG25BA60
FRG25CA120
FDF60BA60
FDF25CA120
FDF25CA100
FRD100BA60
FRD100CA120
FDS100CA120
FDS100CA100
FDS100BA60
FRS200AA40
FRS200AA60
FRS200CA100
FRS200CA120
FRS300CA50
FRS400CA120
FRS400DA120
FRS400DA100
FRS150BA50
FRS400BA50
FRS400BA60
FRS200BA60
FRS300BA50
FRS400EA180
FRS400EA200
DKR200AB60
DKR300AB60
DKR400AB60
BKR400AC10
BKR400AB10
DKA300AA60
DBA100UA60
DBA100UA40
DBA200UA40
DBA200UA60
沧州二极管电话
二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
正向特性
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
PROTON二极管
二极管模块
MD3-660-18-A2-N
MD3-580-26-A2-N
MD3-470-44-A2-N
MD3-320-65-A2-N
MD3-515-36-A2-N
MD3-380-52-A2-N
MD3-320-18-C-N
MD3-250-26-C-N
MD3-200-34-C-N
MD3-1000-28-D-N
MD3-800-44-D-N
MD1-950-44-E-N
MD1-1125-28-E-N
MD1-1280-22-E-N
MD3-245-18-F-N
MD3-215-22-F-N
MD3-175-28-F-N
MD3-155-36-F-N
-/gbaibbi/-

http://www.hngslt.com

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