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ST280S04P0V螺栓可控硅PRX可控硅
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产品描述

Vishay 型号ST330S04POV 电压400 封装国际封装 批号new
单向可控硅的检测。 万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
ST280S04P0V螺栓可控硅PRX可控硅
可控硅的主要技术参数
1.正向阻断峰值电压(VPFU)
是指在控制极开路及正向阻断条件下,可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80%。
2.反向阻断峰值电压(VPRU)
它是指在控制极断路和额定结温度下,可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为反向测试电压值的80%。
3.额定正向平均电流(IF)
在环境温度为+40C时,器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率.一般为50Hz或60Hz,我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。
4.正向平均压降(UF)
在规定的条件下,器件通以额定正向平均电流时,在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5.维持电流(IH)
在控制极断开时,器件保持导通状态所必需的小正向电流。
6.控制极触发电流(Ig)
阳极与阴极之间加直流6V电压时,使可控硅完全导通所必需的小控制极直流电流。
7.控制极触发电压(Ug)
是指从阻断转变为导通状态时控制极上所加的小直流电压。
ST280S04P0V螺栓可控硅PRX可控硅
单向可控硅和双向可控硅
可控硅分为单向可控硅和双向可控硅
单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)
双向可控硅在测试中任何两极间的正反向电阻都较小。
双向可控硅的测量
双向可控硅等效于两只单向可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T1极,其中一只单向可控硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)
单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),对于单向可控硅可能是A、K或G、A极也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅,且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。
若正、反向测量,指示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。
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可控硅的好坏如何判断?
方法一:测量极间电阻法
将万用表置于皮R×1k档,如果测得T2-T1、T2-G之间的正反向电阻接近∞,而万用表置于R×10档测得T1-G之间的正反向电阻在几十欧姆 时,就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之:
1、若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用;
2、如果测得T1-G之间的正反向电阻很大(接近∞)时,说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏,也不能使用。
方法二:检查触发导通能力A
万用表置于R×10档:①如图,1(a)所示,用黑表笔接主电极T2,红表笔接T1,即给T2加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置,说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的,改黑表笔接主电极T1,红表笔接T2,即给T1加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果结果同上,也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的,即在两个方向(在不同极性的触发电压证)均能触发导通。
方法三:检查触发导通能力B
取一只10uF左右的电解电容器,将万用表置于R×10k档(V电压),对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线,即利用电容器上所充的电压作为触发信号,然后再将万用表置于R×10档,照图2(b)连接好后进行测试。测试时,电容C的极性可任意连接,同样是碰触一下后离开,观察表头指针偏转情况,如果测试结果与“方法二’相同,就证明双向可控硅是好的。
应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。由于电解电容器上充的电压较高,使触发信号增大,更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。
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